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包装方式: 编带
商品目录: 场效应管(MOSFET)
类型: N沟道
漏源电压(Vdss): 75V
连续漏极电流(Id) :7.8A
功率(Pd): 2W
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 22mΩ@10V,7.2A
阈值电压(Vgs(th)@Id): 3V@250μA