二氧化硅，高纯二氧化硅颗粒，二氧化硅靶，二氧化硅蒸发材料，镀膜专用二氧化硅?
化学符号：SiO2?

沸 ? ?点：2230℃

纯 ? ?度：4N

规 ? ?格：1-4mm,颗粒，靶材

分 子 量：60.08?
外 ? ?观：白色?
熔 ? ?点：1700℃?
密 ? ?度：2.2-2.7g/cm3??
在10-4Torr真空下蒸发温度为：1025℃?
透 明 区/nm：200-8000?
相对介电常数：3-4?
击穿电压/V？cm-1：106?
厚 ? ?度μm：0.03-0.3?
沉积技术：反应溅射?
折 射 率(波长/nm)：1.46(500)?
? ? ? ? ? 1.445(1600)?
线膨胀系数/℃-1:5.5×10-7?
蒸发方式：电子束?
性 ? ?能： 可用钽舟加热蒸发，也可用三氧化二铝坩埚加热蒸发，但由电阻加热蒸发会产生分解，由电子束加热蒸发效果很好；不溶于水和酸，但溶于氢氟酸；其微粒能与熔融碱起作用；?
应 ? ?用： 二氧化硅用途广泛，主要用于冷光膜、防反膜、多层膜、滤光片、绝缘膜、眼镜膜、紫外膜等。?