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碳化硅的长期运行可靠性是目前业内关注的核心问题之一。由于宽禁带半导体器件本身的特性，如大量的界面问题导致的阈值电压漂移问题，传统的基于硅器件的失效模型已无法充分覆盖碳化硅的情况；研究表明需要采取动态的老化测试手段来进行评估。
针对SiC分立器件和模块，广电计量参照JEDEC、AECQ101及AQG324标准进行检测验证，能力不仅覆盖用于验证传统Si器件长期稳定性的所有方法，还开发了针对SiC器件不同运行模式的特定试验，在较短时间内了解功率器件的老化特性，见表1。
表1 SiC器件/模块特定可靠性试验
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试验 |
试验条件 |
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HV-H3TRB |
VDS=0.8VDSmax，Ta=85°C, RH=85%，t≥1000h |
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高温高湿反偏测试HTRB |
VDS=VDSmax，Tvj=175°C，VG =-10 V，t≥1000h |
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动态高温高湿反偏测试H3TRB |
VDS>0.5VDSmax，dVDS/dt(at DUT)>30V/ns, 15kHz≤f≤25 kHz,Ta=85°C, RH = 85%，t≥1000h |
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动态反向偏压（DRB） |
VDS≥0.8VDSmax，dVDS/dt (at DUT)=50V/ns，f ≥25 kHz，Ta= 25°C，t≥1000h |
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动态栅偏（DGS） |
VGS = +22 to -8 f = 20 kHz, 10% duty cycle, VDS = 0, Tj=175 |
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动态HTGB |
Ta=25℃；VDS=0V;dVGS/dt=1V/ns; f=100kHz;VGS=-4V/21V; 10^11cycles； |
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动态高温正向偏压测试HTFB |
SiC体二极管双极退化 |
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试验咨询：钟工 150-1416-6472 |
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